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PTFA181001GL分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTFA181001GL
厂商型号

PTFA181001GL

参数属性

PTFA181001GL 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 ??1880 MHz
IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

文件大小

325.13 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-24 15:04:00

PTFA181001GL规格书详情

PTFA181001GL属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的PTFA181001GL晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    PTFA181001GL V1 R250

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.88GHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 额定电流(安培):

    1µA

  • 功率 - 输出:

    100W

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线

  • 供应商器件封装:

    PG-63248-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

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