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PTFA181001GL分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PTFA181001GL |
参数属性 | PTFA181001GL 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 1805-1880 MHz |
文件大小 |
412.36 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-25 18:36:00 |
PTFA181001GL规格书详情
PTFA181001GL属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技股份公司制造生产的PTFA181001GL晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
PTFA181001GL V1 R250
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
1.88GHz
- 增益:
16.5dB
- 额定电流(安培):
1µA
- 功率 - 输出:
100W
- 封装/外壳:
2-扁平封装,叶片引线
- 供应商器件封装:
PG-63248-2
- 描述:
IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
632482 |
9000 |
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询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
2022+ |
PG-63248-2 |
38550 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-63248-2 |
21000 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
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Infineon |
22+ |
NA |
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Infineon Technologies |
24+ |
2-扁平封装,叶片引线 |
9350 |
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