| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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INFINEONSMD |
5500 |
24+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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17年
留言
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INF |
1 |
24+ |
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6年
留言
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INFINEONNA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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INFINEONNA |
7000 |
23+ |
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14年
留言
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INFINEONNA |
6000 |
26+ |
原装现货 |
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12年
留言
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INFINEONNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
8000 |
26+ |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH372602 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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12年
留言
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Infineon Technologies2-扁平封装 叶片引线 带法兰 |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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3年
留言
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INFINEONH-37260-2 |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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INFINEONH-37260-2 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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14年
留言
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INFINEONH-37260-2 |
6000 |
26+ |
原装现货 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH372602 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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INFINEONH-37260-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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9年
留言
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Infineon TechnologiesH-37260-2 |
21000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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INFINEON/英飞凌NI-780S |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
8000 |
26+ |
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6年
留言
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INFINEONH-37260-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH372602 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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12年
留言
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Infineon Technologies2-扁平封装 叶片引线 带法兰 |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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PTFA192001F图片
PTFA192001FV4FWSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多PTFA192001F制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz
PTFA192001F V4功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA192001F V4 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA192001FV4FWSA1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray



















