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PTFA092201F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920 - 960 MHz

文件:379.56 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA092201F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:7.33213 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA092201FV4R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:7.33213 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA092201FV4R0XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:7.33213 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA092201FV4R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:7.33213 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA092201FV4R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:7.33213 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA092201F V1

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

Infineon

英飞凌

PTFA092201FV4R250XTMA1

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

Infineon

英飞凌

PTFA092201F V1

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

INFINEON

英飞凌

PTFA092201FV4R250XTMA1

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • 频率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 电压 - 测试:

    30V

  • 额定电流:

    10µA

  • 电流 - 测试:

    1.85A

  • 功率 - 输出:

    220W

  • 电压 - 额定:

    65V

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线,带法兰

  • 供应商器件封装:

    H-37260-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
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SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
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Infineon
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更多PTFA092201F供应商 更新时间2026-1-17 16:55:00