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PTFA181001GL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 ??1880 MHz

文件:325.13 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA181001GL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 1805-1880 MHz

文件:412.36 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA181001GL_09

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 1805-1880 MHz

文件:412.36 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA181001GL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 1805-1880 MHz

Infineon

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PTFA181001GL V1

Package:2-扁平封装,叶片引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

INFINEON

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PTFA181001GL V1 R250

Package:2-扁平封装,叶片引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

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详细参数

  • 型号:

    PTFA181001GL

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 – 1880 MHz

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更多PTFA181001GL供应商 更新时间2026-1-24 15:01:00