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PMPB09R1XN	文件：307.36 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ZV；Package：SOT1220-2；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Small 文件：307.36 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB09R1XN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB15XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN	恩XP 上传：深圳市中远芯科技有限公司	恩XP
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

技术参数

Package name：
DFN2020M-6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
11.2
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
14.3
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
13
QGD [typ] (nC)：
1.9
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.099999
Ptot [max] (W)：
3
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
939.99994
Coss [typ] (pF)：
156
Release date：
2022-10-24

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更多PMPB09R1XN供应商更新时间2025-12-7 12:00:00

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