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PMPB48EP	文件：242.75 Kbytes Page：14 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpowerDFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •SmallandleadlessultrathinSMDplasti
PMPB48EP	文件：740.89 Kbytes Page：14 Pages	丝印：1U；Package：SOT1220；30 V, single P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Smallandleadlessultrathin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB48EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET; • Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n; P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMPB48EPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET; • Trench MOSFET technology\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• AEC-Q101 qualified\n; P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMPB48EPA	文件：285.42 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4Q；Package：SOT1220；30 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Sidewettableflanksforoptical	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB48EP_15	文件：242.75 Kbytes Page：14 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
50
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
76
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-6.8
QGD [typ] (nC)：
3.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
17
Ptot [max] (W)：
1.7
VGSth [typ] (V)：
-1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
860
Coss [typ] (pF)：
105
Release date：
2012-09-10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PMPB48EP	NEXPERIA/安世	25+	SOT1220	600000	NEXPERIA/安世全新特价PMPB48EP即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	PMPB48EP	NEXPERIA/安世	20+	DFN2020-6	120000	原装正品可含税交易	询价
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深圳市秉祺电子科技有限公司	PMPB48EP	NEXPERIA/安世	21+	DFN2020MD6	19600	一站式BOM配单	询价
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深圳市瑞卓芯科技有限公司	PMPB48EP	NEXPERIA/安世	22+	SOT1220	10990	原装正品	询价

更多PMPB48EP供应商更新时间2025-7-31 11:38:00

技术参数

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