PMPB48EP中文资料30 V, single P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB48EP规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portable devices
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB48EP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD‑6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：50
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：76
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-6.8
- QGD [typ] (nC)
：3.2
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：17
- Ptot [max] (W)
：1.7
- VGSth [typ] (V)
：-1.5
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：860
- Coss [typ] (pF)
：105
- Release date
：2012-09-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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