PMPB25ENE中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB25ENE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
• Trench MOSFET technology
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMPB25ENE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD‑6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：24
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：32
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：10
- QGD [typ] (nC)
：2.8
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ptot [max] (W)
：2.1
- VGSth [typ] (V)
：1.5
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：607
- Coss [typ] (pF)
：113
- Release date
：2018-04-26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
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原装 |
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恩XP |
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QFN |
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NEXPERIA |
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