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PMPB25ENE	文件：299.24 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3V；Package：SOT1220；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Small and leadless 文件：299.24 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB25ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB25ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMPB25ENEA - 30 V, N-channel Trench MOSFET 30 V, N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Extended temperature range Tj = 175 °C\n·Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n·Tin-plated 100% solderable side pads for optical solder inspection\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n·Trench MOSFET technology\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	ROHM/罗姆 2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆
PMR100HZPFU5L00	文件：0 bytes Page：0 Pages	ROHM/罗姆 2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
24
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
32
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
10
QGD [typ] (nC)：
2.8
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
13
Ptot [max] (W)：
2.1
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
607
Coss [typ] (pF)：
113
Release date：
2018-04-26

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更多PMPB25ENE供应商更新时间2025-10-6 10:00:00

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