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PMPB14R7EP中文资料30 V, P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB14R7EP规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portable devices
• Computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB14R7EP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：18
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：25
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-11.2
- QGD [typ] (nC)
：6.2000003
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ptot [max] (W)
：3.8
- VGSth [typ] (V)
：-1.5
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：1418
- Coss [typ] (pF)
：159
- Release date
：2020-10-13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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