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PMPB10XNEA中文资料20 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB10XNEA规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Trench MOSFET technology
• Side wettable flanks for optical solder inspection
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMPB10XNEA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD‑6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：14
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：18
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：9
- QGD [typ] (nC)
：4.5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：23
- Ptot [max] (W)
：1.7
- Qr [typ] (nC)
：5
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：Y
- Ciss [typ] (pF)
：2175
- Coss [typ] (pF)
：234.99998
- Release date
：2018-03-27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2511 |
DFN2020-6 |
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