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PMPB08R6EN中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB08R6EN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Very fast switching
• Trench Superjunction Technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMPB08R6EN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：10.5
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：14
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：15
- QGD [typ] (nC)
：1.7
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：13.7
- Ptot [max] (W)
：3.8
- VGSth [typ] (V)
：1.5
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：840
- Coss [typ] (pF)
：155
- Release date
：2020-10-13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
鑫远鹏 |
25+ |
NA |
5000 |
价优秒回原装现货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2020M-6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
DFN6(2x2) |
7350 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
18000 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
17+ |
71900 |
询价 | ||||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT1220 |
6000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
DFN2020MD-6(SOT1220 |
9600 |
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询价 | ||
一级代理 |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 |
