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PMPB07R0UN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMPB07R0UN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：9
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：12
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：16.4
- QGD [typ] (nC)
：5.6
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：20
- Ptot [max] (W)
：3.8
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：1696
- Coss [typ] (pF)
：224
- Release date
：2020-10-13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
DFN2020M-6 |
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Nexperia(安世) |
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DFN2020M6 |
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NEXPERIA |
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18000 |
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DFN2020-6 |
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NEXPERIA |
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NEXPERIA |
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DFN2020M-6 |
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国产 |
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NEXPERIA |
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