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PMPB07R3EN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Ultra low QG, QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
• Superfast switching with soft-recovery
• Low spiking and ringing for low EMI designs
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
应用 Application
• DC to DC conversion
• Battery management
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMPB07R3EN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：8.6
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：12
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：17
- QGD [typ] (nC)
：1.6
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ptot [max] (W)
：3.8
- VGSth [typ] (V)
：1.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：914
- Coss [typ] (pF)
：309
- Release date
：2020-11-27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia USA Inc. |
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Nexperia |
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