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PMPB08R6EN	文件：325.3 Kbytes Page：15 Pages	丝印：ZB；Package：SOT1220-2；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench Sup 文件：325.3 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB08R6ENX	文件：325.3 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench Sup 文件：325.3 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB08R6EN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench Superjunction Technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction;	Nexperia 安世	Nexperia
LXX08R6	文件：435.29 Kbytes Page：14 Pages	8 Amp bi-directional solid state switch series is designed for AC switching and phase 文件：435.29 Kbytes 页数：14 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE

技术参数

Package name：
DFN2020M-6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
10.5
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
14
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
15
QGD [typ] (nC)：
1.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
13.7
Ptot [max] (W)：
3.8
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
840
Coss [typ] (pF)：
155
Release date：
2020-10-13

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