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PMPB10XNEA	文件：299.07 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4E；Package：SOT1220；20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：299.07 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB10XNEAX	文件：299.07 Kbytes Page：14 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：299.07 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB10XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB15XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN	恩XP 上传：深圳市中远芯科技有限公司	恩XP
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
14
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
18
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
9
QGD [typ] (nC)：
4.5
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
23
Ptot [max] (W)：
1.7
Qr [typ] (nC)：
5
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
2175
Coss [typ] (pF)：
234.99998
Release date：
2018-03-27

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