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PMPB15XP	文件：375.39 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1A；Package：SOT1220；12 V, single P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits • 1.5 kV ESD protection (human body model) • Trench MOSFET 文件：375.39 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB15XP	文件：260.18 Kbytes Page：14 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • 1.5 kV ESD protection (human body model) • Trench MOSFET technology 文件：260.18 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PMPB15XP	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB15XPA	文件：302.91 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4J；Package：SOT1220；12 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：302.91 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB15XP_15	文件：260.14 Kbytes Page：14 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：260.14 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMPB15XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • 1.5 kV ESD protection (human body model)\n• Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB15XPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-12
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
19
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
20
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-11.8
QGD [typ] (nC)：
7.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
67
Ptot [max] (W)：
1.7
VGSth [typ] (V)：
-0.68
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2875
Coss [typ] (pF)：
570
Release date：
2012-07-06

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMPB15XP供应商更新时间2025-10-7 14:26:00

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