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PMPB15XP	文件：260.18 Kbytes Page：14 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpowerDFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •1.5kVESDprotection(humanbodymodel) •TrenchMOSFETtechnology	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMPB15XP	文件：375.39 Kbytes Page：15 Pages	Marking：1A；Package：SOT1220；12 V, single P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits •1.5kVESDprotection(humanbodymodel) •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB15XPA	文件：302.91 Kbytes Page：14 Pages	Marking：4J；Package：SOT1220；12 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtechnology •Sidewe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB15XP_15	文件：260.14 Kbytes Page：14 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PMPB15XP
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET, P CH, 12V, DFN2020; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-11.8A; Drain Source Voltage
Vds：
-12V; On Resistance
Rds(on)：
0.015ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-4.5V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-680mV; Power ;RoHS
Compliant：
Yes

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