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PMPB15XPA	文件：302.91 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4J；Package：SOT1220；12 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：302.91 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB15XPAX	文件：302.91 Kbytes Page：14 Pages	12 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：302.91 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB15XPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
20
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
23
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-8.2
QGD [typ] (nC)：
7.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
67
Ptot [max] (W)：
1.7
Qr [typ] (nC)：
35
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
2875
Coss [typ] (pF)：
570
Release date：
2018-03-27

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