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PMPB10XNEAX

20 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we

文件:299.07 Kbytes 页数:14 Pages

NEXPERIA

安世

PMPB15XP

DFN

恩XP

PMPB55ENEAX

DFN2020

NEXPERIA/安世

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

NEXPERIA/安世

PMR100HZPFU10L0

2512

ROHM/罗姆

PMR100HZPFU5L00

2512

ROHM/罗姆

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更多PMPB10XNEAX供应商 更新时间2025-12-17 16:12:00