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PMPB11R2VP规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portable devices
• Computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB11R2VP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-12
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：14
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：20.5
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-14
- QGD [typ] (nC)
：8.3
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：26
- Ptot [max] (W)
：3.8
- VGSth [typ] (V)
：-0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：2230
- Coss [typ] (pF)
：591
- Release date
：2020-10-13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
250 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
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DFN6(2x2) |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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DFN2020MD |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
DFN2020MD-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
23+ |
DFN-6(2x2) |
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Nexperia安世原装现货库存,原厂技术支持! |
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NEXPERIA |
23+ |
DFN2020MD-6 |
51000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
DFN2020MD |
20000 |
原装现货,实单支持 |
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恩XP |
25+ |
DFN2020MD |
860000 |
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询价 |
