PMPB23XNE中文资料20 V, single N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB23XNE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• 1 kV ESD protection
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• Tin-plated, 100% solderable side pads for optical solder inspection
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portables
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB23XNE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD‑6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：22
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：29
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2100
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：10.1
- QGD [typ] (nC)
：2.2
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：11.6
- Ptot [max] (W)
：1.7
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：1136
- Coss [typ] (pF)
：137
- Release date
：2012-11-29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT1220 |
7350 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
DFN2020MD6 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT1220 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
DFN2020MD-6 |
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恩XP |
原厂封装 |
9800 |
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Nexperia USA Inc. |
21+ |
DFN2020MD-6 |
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NEXPERIA/安世 |
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DFN2020MD6 |
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恩XP |
23+ |
SOT1220 |
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原厂原装正品 |
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恩XP |
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SOT1220 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
DFN2020MD6 |
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