PMPB13UP中文资料12 V, P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB13UP规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Trench MOSFET technology
• Side wettable flanks for optical solder inspection
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portable devices
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB13UP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD‑6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-12
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：16
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：22
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-13
- QGD [typ] (nC)
：8.3
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：26
- Ptot [max] (W)
：2
- VGSth [typ] (V)
：-0.6
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：2230
- Coss [typ] (pF)
：591
- Release date
：2019-09-05
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
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SOT1220 |
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