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PMPB12R5UPE规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2000 V HBM (class H2)
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portable devices
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB12R5UPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：10
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：14.4
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：21
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-13
- QGD [typ] (nC)
：8.2
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：26
- Ptot [max] (W)
：3.8
- VGSth [typ] (V)
：-0.6
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：1999.9999
- Coss [typ] (pF)
：291
- Release date
：2022-02-24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
DFN2020M6 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
250 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
原包装原封□□ |
368000 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
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询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
DFN2020MD6 |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
DFN2020MD-6 |
60000 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
DFN2020-3 |
8600 |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
DFN2020MD |
7000 |
询价 | |||
恩XP |
2223+ |
DFN2020MD |
26800 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
DFN2020MD-6 |
51000 |
原装正品现货 |
询价 |
