| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
PMPB47XP | 丝印：1W；Package：DFN2020MD-6；30 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：743.7 Kbytes 页数：14 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA | |
30 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：245.28 Kbytes 页数：14 Pages | PHI PHI | PHI | ||
PMPB47XP | 30 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection; | Nexperia 安世 | Nexperia | |
DFN2020 | NEXPERIA/安世 上传：深圳市盈慧通电子有限公司 | NEXPERIA/安世 | ||
2512 | ROHM/罗姆 上传：佛山市芯光达科技有限公司 | ROHM/罗姆 |
技术参数
- Package name：
DFN2020MD‑6
- Product status：
Production
- Channel type：
P
- Nr of transistors：
1
- VDS [max] (V)：
-30
- VGS [max] (V)：
12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
58
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
71
- integrated gate-source ESD protection diodes：
N
- Tj [max] (°C)：
150
- ID [max] (A)：
-5
- QGD [typ] (nC)：
4
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
14
- Ptot [max] (W)：
1.7
- VGSth [typ] (V)：
-0.68
- Automotive qualified：
N
- Ciss [typ] (pF)：
1365
- Coss [typ] (pF)：
105
- Release date：
2012-12-11
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SYFOREVER |
25+ |
DFN2020MD6 |
20300 |
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DFN2020MD6 |
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DFN2020-6 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
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24+ |
DFN2*2-6L |
10000 |
询价 |
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