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PMPB19R0UPE	文件：300.38 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ZR；Package：SOT1220-2；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Small 文件：300.38 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB19R0UPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2000 V HBM (class H2);	Nexperia 安世	Nexperia
BAV19R0	文件：208.15 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：208.15 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
BAV19R0G	文件：199.7 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：199.7 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Package name：
DFN2020M-6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
10
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
21
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
30
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-11
QGD [typ] (nC)：
5.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
16
Ptot [max] (W)：
3.5
VGSth [typ] (V)：
-0.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1275
Coss [typ] (pF)：
191
Release date：
2022-02-24

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMPB19R0UPE供应商更新时间2026-1-29 10:00:00

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