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BAV19R0	文件：208.15 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：208.15 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
BAV19R0G	文件：199.7 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：199.7 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
PMPB19R0UPE	文件：300.38 Kbytes Page：14 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Small 文件：300.38 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAV21W-7-F	文件：0 bytes Page：0 Pages		DII 上传：深圳市铨博晟科技有限公司	DII
BAV21W-7-F	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD-123	DIODES/美台上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	DIODES/美台

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更多BAV19R0供应商更新时间2025-12-24 10:07:00