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TIP3055	文件：107.34 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,60V,90W) 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS90WATTS ..designedforuseintgeneral-purposeamplifierandswitchingapplication NPN->TIP3055 PNP->TIP2955	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
TIP3055	文件：104.43 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON TIP2955PNP TIP3055NPN 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS90WATTS ...designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. •DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
TIP3055	文件：101.21 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,90WATTS •DCCurrentGain−hFE=20-70@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4.0Adc •ExcellentSafeOperatingArea •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP3055	文件：155.4 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeTIP2955 ·90Wat25°Ccasetemperature ·15Acontinuouscollectorcurrent APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP3055	文件：88.42 Kbytes Page：7 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TIP3055	文件：155.45 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=4A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeTIP2955 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP3055	文件：64.349 Kbytes Page：1 Pages	ComplementarySiliconHighPowerTtransistors PNPTIP2955 NPNTIP3055 DESCRIPTION TheTIP3055isasiliconEpitaxial-BasePlanarNPNtransistormountendinTO-247plasticpackage.Itisintentedforpowerswitchingcircuits,seriesandshuntregulators,outputstagesandhi-fiamplifiers. ThecomplementaryPNPtypeistheTIP295	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
TIP3055	文件：95.71 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=4A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeTIP2955 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP3055	文件：114.97 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,90WATTS •DCCurrentGain−hFE=20-70@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4.0Adc •ExcellentSafeOperatingArea •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP3055F	文件：69.59 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP3055F	文件：89.12 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PFullyIsolatedPlasticPackageTransistorCDIL TO-3PFullyIsolatedPlasticPackageTransistorCDIL	CDIL CDIL	CDIL
TIP3055G	文件：114.97 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,90WATTS •DCCurrentGain−hFE=20-70@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4.0Adc •ExcellentSafeOperatingArea •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP3055G	文件：114.97 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,90WATTS •DCCurrentGain−hFE=20-70@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4.0Adc •ExcellentSafeOperatingArea •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP3055HVF	文件：89.12 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PFullyIsolatedPlasticPackageTransistorCDIL TO-3PFullyIsolatedPlasticPackageTransistorCDIL	CDIL CDIL	CDIL
TIP3055T	文件：148.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=4A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.8V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeTIP2955T APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TM3055	文件：44.25 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
TM3055	文件：45.2 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TN3055	文件：45.2 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
UF3055	文件：122.43 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UGN3055U	文件：111.08 Kbytes Page：8 Pages	MULTIPLEXEDTWO-WIREHALL-EFFECTSENSORICs MULTIPLEXEDTWO-WIREHALL-EFFECTSENSORICs TheUGN3055UHall-effectsensorisadigitalmagneticsensingICcapableofcommunicatingoveratwo-wirepower/signalbus.Usingasequentialaddressingscheme,thedevicerespondstoasignalonthebusandreturnsthediagnosticstatusoftheIC,as	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro

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详细参数

型号：
PHP3055E
功能描述：
MOSFET RAIL PWRMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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详细参数

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