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BQ3055EVM	文件：2.02988 Mbytes Page：10 Pages	EvaluationKit INTRODUCTION ThiskitcontainseverythingneededforrapidprototypingwiththeSA310KR3-phasedriver.Withamultitude ofcircuitoptions,theEK76offersversatilitywhenincomestoconnectinginputs,measuringoutputs, andconditioningsignalstothespecificapplicationenvironment.High-	Apex Apex Microtechnology Corporation	Apex
BX3055	文件：45.2 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CEA3055	文件：989.94 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEA3055	文件：495.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •60V,3.7A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V. •HighdensecelldesignforlowRDS(ON) •Ruggedandreliable. •SOT-89Package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEA3055L	文件：495.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •60V,3.7A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V. •HighdensecelldesignforlowRDS(ON) •Ruggedandreliable. •SOT-89Package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEA3055L	文件：989.83 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CED3055L	文件：591.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,8A,RDS(ON)=150mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=180mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CET3055	文件：487.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●60V,4A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CET3055L	文件：494.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●60V,3.7A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU3055L	文件：591.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,8A,RDS(ON)=150mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=180mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM3055LAPAPT	文件：210.31 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT12Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHM3055LXPT	文件：363.98 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT3.7Ampere FEATURE Smallpackage.(SC-62/SOT-89) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHM3055ZPT	文件：351.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT4.0Ampere FEATURE Smallpackage.(SC-73/SOT-223) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHT3055ZPT	文件：154.36 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CJD3055	文件：425.65 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CJD3055	文件：542.02 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCJD2955andCJD3055arecomplementarysiliconpowertransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,mountedinasurfacemountpackage,anddesignedforhighcurrentamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CJD3055NPN	文件：563.03 Kbytes Page：2 Pages	siliconpowertransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CJF3055	文件：295.3 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
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详细参数

型号：
PHD3055E
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
N-channel TrenchMOS transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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