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CEA3055	文件：495.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES • 60V, 3.7A, RDS(ON) = 100 mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 120 mΩ @VGS = 4.5V. • High dense cell design for low RDS(ON) • Rugged and reliable. • SOT-89 Package 文件：495.95 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEA3055	文件：989.94 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：989.94 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CEA3055	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 华瑞	CET
CEA3055L	文件：495.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES • 60V, 3.7A, RDS(ON) = 100 mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 120 mΩ @VGS = 4.5V. • High dense cell design for low RDS(ON) • Rugged and reliable. • SOT-89 Package 文件：495.95 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEA3055L	文件：989.83 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：989.83 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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