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PHD55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance •Logiclevelcompatible Appl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP55N03LT	文件：371.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP55N03T	文件：57.28 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJD55N03	文件：425.93 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@16A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SDB55N03L	文件：417.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDP55N03L	文件：417.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDPB55N03L	文件：319.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SSD55N03	文件：792.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
PHD55N03LTA
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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