CJD3055分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
CJD3055 |
参数属性 | CJD3055 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
文件大小 |
542.02 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Central Semiconductor Corp |
企业简称 |
Central |
中文名称 | 美国中央半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-31 17:18:00 |
CJD3055规格书详情
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD2955 and CJD3055 are complementary silicon power transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a surface mount package, and designed for high current amplifier and switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
CJD3055属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。美国中央半导体制造生产的CJD3055晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
CJD3055 TR13 TIN/LEAD
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
8V @ 3.3A,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 4A,4V
- 频率 - 跃迁:
2MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN 60V 10A DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
SMD |
90000 |
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询价 | |||
CENTRAL |
23+ |
SOT-252 |
66800 |
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CENTRAL |
SOT-252 |
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CJ |
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SOT-252 |
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CENTRAL |
23+ |
TO-252 |
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2315+ |
SOT252 |
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