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PHD20N06T118	文件：896.97 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD21N06LT	文件：112.45 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Logiclevelcompatible Applications: •d.c.tod.c.co	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD21N06LT	文件：82.44 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Logiclevelcompatible Applications: •d.c.tod.c.co	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD21N06LT	文件：233.59 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOSÔ transistor Logic level FET FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Logiclevelcompatible GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Applications:- •d.c.tod.c.converters •swi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD21N06LT	文件：298.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD22NQ20T	文件：297.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=120mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD23NQ10T	文件：99.37 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD23NQ10T	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=72mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD24N03	文件：50.88 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability:PHD24N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompati	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD24N03LT	文件：50.88 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability:PHD24N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompati	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
PHD
制造商：
ITT
制造商全称：
ITT Industries
功能描述：
Fiber Optics

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	PHD3055E	PHI	05+	原厂原装	5051	只做全新原装真实现货供应	询价
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