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PHD108NQ03LT	文件：269.45 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHP108NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB108NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD108NQ03LT in SOT428 (D-PAK). Features ■Logic level compatible ■ 文件：269.45 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHD10N10E	文件：76.28 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suuitable for surface mounting. The device is intended for use in Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control, welding, DC/DC and AC/DC converters, and in general purpose switching applicatio 文件：76.28 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHD10N10E	文件：298.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD110NQ03LT	文件：299 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD11N03LT	文件：298.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD11N03LT	文件：105.12 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • ’Trench’ technology • Low on-state resistance • Fast switching • Logic level compatible Applications:- • d.c. to d.c. converters • switche 文件：105.12 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHD11N06LT	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：114.92 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHD11N06LT	文件：76.41 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：76.41 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHD11N06LT	文件：298.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD12N10E	文件：298.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.16Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
5.5
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
7.5
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
8
P_tot [max] (W)：
166
Q_r [typ] (nC)：
33
V_GSth [typ] (V)：
1.9
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2180
C_oss [typ] (pF)：
600
Date：
2011-01-05

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	PHD3055E	PHI	05+	原厂原装	5051	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市勤思达科技有限公司	PHD108NQ03LT	恩XP	1415+	TO-252	28500	全新原装正品,优势热卖	询价
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