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PHD11N03LT	文件：105.12 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Logiclevelcompatible Applications:- •d.c.tod.c.converters •switche	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IPB11N03LAG	文件：265.97 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI11N03LA	文件：308.4 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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更多PHD11N03LT供应商更新时间2024-5-29 10:08:00