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PHD110NQ03LT	文件：299 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD110NQ03LT,118	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 25V 75A DPAK	恩XP	恩XP
PHE426HB6680JR06	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	KEMETKEMET Corporation 基美上传：深圳市和悦电子贸易有限公司	KEMET
PHILIPPINES	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	AMI 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	AMI
PHPT60603NYX	文件：0 bytes Page：0 Pages	con	NEXPERIA 安世上传：北京天阳诚业科贸有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PHD110NQ03LT
功能描述：
MOSFET TRENCH<=30
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市华来深电子有限公司	PHD110NQ03LT	恩XP	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多PHD110NQ03LT供应商更新时间2025-12-1 15:30:00

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