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PHPT60603NYX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-100，SOT-669；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A LFPAK56 PWRSO8	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60603PY	文件：735.8 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 文件：735.8 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60603PY-Q	文件：300.47 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement: PHPT60603NY-Q 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • Suitable for high temperature applications up to 175 °C • 文件：300.47 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60603NY	文件：736.41 Kbytes Page：15 Pages	60V, 3 A NPN high power bipolar transistor 文件：736.41 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60603NY-Q	文件：302.93 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement: PHPT60603PY-Q 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • High temperature applications up to 175 °C • Reduced Prin 文件：302.93 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
PHPT60603NYX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-100，SOT-669
供应商器件封装：
LFPAK56，Power-SO8
描述：
TRANS NPN 60V 3A LFPAK56 PWRSO8

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