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PHD10N10E中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

PHD10N10E
厂商型号

PHD10N10E

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

298.39 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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PHD10N10E规格书详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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