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PHD20N06T中文资料安世数据手册PDF规格书

PHD20N06T
厂商型号

PHD20N06T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

860.13 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 10:30:00

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PHD20N06T规格书详情

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

General purpose switching

Switched-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHD20N06T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
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