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PHD14NQ20T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHD14NQ20T

功能描述

TrenchMOS standard level FET

文件大小

269.78 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-10-5 10:30:00

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PHD14NQ20T规格书详情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)

PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK)

PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).

特性 Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

Applications

■ DC to DC converters

■ General purpose switching

产品属性

  • 型号:

    PHD14NQ20T

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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