PHD13003C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
PHD13003C |
| 参数属性 | PHD13003C 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3 |
| 功能描述 | NPN power transistor with integrated diode |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
438.34 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | WeEn Semiconductors |
| 企业简称 |
WEEN【瑞能半导体】 |
| 中文名称 | 瑞能半导体科技股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PHD13003C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PHD13003C规格书详情
PHD13003C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由瑞能半导体科技股份有限公司制造生产的PHD13003C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
General description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a SOT54 (TO-92) plastic package.
Features and benefits
• High typical DC current gain
• Fast switching
• High voltage capability
• Integrated anti-parallel E-C diode
Applications
• Compact fluorescent lamps (CFL)
• Low power electronic lighting ballasts
• Off-line self-oscillating power supplies (SOPS) for battery charging
产品属性
更多- 产品编号：
PHD13003C,412
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 1A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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