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厂商型号

PHD108NQ

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

209.14 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-11-21 23:00:00

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PHD108NQ规格书详情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

特性 Features

■Logic level threshold

■Very low on-state resistance

■Lead-free construction

■Low gate charge

Applications

■DC-to-DC converter

■Switch-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHD108NQ

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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