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PHD108NQ规格书详情
General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology.
特性 Features
■Logic level threshold
■Very low on-state resistance
■Lead-free construction
■Low gate charge
Applications
■DC-to-DC converter
■Switch-mode power supplies
产品属性
- 型号:
PHD108NQ
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+23+ |
TO-252 |
23499 |
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询价 | ||
PHI |
22+ |
TO252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-263 |
4500 |
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2406+ |
TO-252 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT428 |
860000 |
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询价 | ||
PH |
24+ |
TO-252 |
820 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT428 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
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询价 | ||
恩XP |
2447 |
SOT252 |
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