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厂商型号

PHD108NQ

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

209.14 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-10-5 16:50:00

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PHD108NQ规格书详情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

特性 Features

■Logic level threshold

■Very low on-state resistance

■Lead-free construction

■Low gate charge

Applications

■DC-to-DC converter

■Switch-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHD108NQ

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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