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GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.
FEATURES
• ’Trench’ technology
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
34461 |
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恩XP |
1122+ |
TO92 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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恩XP |
23+ |
TO92 |
125800 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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WeEn(瑞能) |
23+ |
TO-92-3 |
9710 |
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT) |
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恩XP |
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TO-252 |
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PHI |
23+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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PHI |
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TO-252 |
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N |
25+ |
TO-252 |
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恩XP |
2025+ |
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23+ |
TO-252 |
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原装正品，支持实单 |
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