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PHD18NQ10T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHD18NQ10T

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

121.81 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-11-26 23:00:00

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PHD18NQ10T规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Low thermal resistance

Applications:-

• d.c. to d.c. converters

• switched mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHD18NQ10T

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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