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PHD16N03T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHD16N03T

功能描述

TrenchMOS standard level FET

文件大小

240.51 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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PHD16N03T规格书详情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHD16N03T in SOT428 (D-PAK).

特性 Features

■ Fast Switching

■ TrenchMOSTM technology.

Applications

■ DC-to-DC converters

■ General purpose switch.

产品属性

  • 型号:

    PHD16N03T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
NA/
5550
原厂直销,现货供应,账期支持!
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TO-252
80000
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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恩XP
23+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
8000
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