PHD13005分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PHD13005 |
| 参数属性 | PHD13005 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 4A TO220AB |
| 功能描述 | NPN power transistor with integrated diode |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
504.95 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | WeEn Semiconductors |
| 企业简称 |
WEEN【瑞能半导体】 |
| 中文名称 | 瑞能半导体科技股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 12:00:00 |
| 人工找货 | PHD13005价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PHD13005规格书详情
PHD13005属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由瑞能半导体科技股份有限公司制造生产的PHD13005晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
General description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.
Features and benefits
• Low thermal resistance
• Fast switching
• High voltage capability
• Integrated anti-parallel E-C diode
Applications
• Integrated fluorescent lamp ballasts e.g. high power cluster lamps
• Low Voltage Tungsten Halogen transformers
• Remote fluorescent lamp ballasts
• Self Oscillating Power Supplies
产品属性
更多- 产品编号：
PHD13005,127
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
TRANS NPN 400V 4A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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