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PHD18NQ10T中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

PHD18NQ10T
厂商型号

PHD18NQ10T

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

299.19 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-13 16:14:00

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PHD18NQ10T规格书详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

产品属性

  • 型号:

    PHD18NQ10T

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全称:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    N-channel TrenchMOS transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHILIPS
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