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PHB130N03LT	文件：63.36 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP130N03LTissupp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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RLW130N03	文件：1.10923 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RMW130N03	文件：1.1084 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RMW130N03	文件：1.12555 Mbytes Page：7 Pages	4.5VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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RSS130N03	文件：60.1 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,13A) ●Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). ●Application Powerswitching,DC/DCconverter. ●Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS130N03FRA	文件：2.57068 Mbytes Page：14 Pages	Nch30V13APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS130N03HZG	文件：2.6041 Mbytes Page：14 Pages	Nch30V13APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
PHB130N03LTT/R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404

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