PHB18NQ10T规格书原装现货安世NEXPERIA-114ic电子网

首页 >PHB18NQ10T>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
PHB18NQ10T	文件：121.81 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowers	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB18NQ10T	文件：908.48 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits 	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHB18NQ10T	文件：345.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD18NQ10T	文件：121.81 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowers	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD18NQ10T	文件：299.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP18NQ10T	文件：372.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP18NQ10T	文件：782.47 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits H	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHP18NQ10T	文件：121.81 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowers	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHB18NQ10T
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
N-channel TrenchMOS transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	PHB18NQ10T	NXP/恩智浦	24+	TO-263	376	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	PHB18NQ10T	NXP/恩智浦	24+	TO-263	504477	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市一线半导体有限公司	PHB18NQ10T	PH	24+	SOT404TO-263D2PAK	8866		询价
深圳市恒创达实业有限公司	PHB18NQ10T	PHILIPS	17+	TO-263	6200		询价
深圳市鹏和科技有限公司	PHB18NQ10T	PHL	24+	TO263	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市华来深电子有限公司	PHB18NQ10T	NXP	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	PHB18NQ10T	NXP	25+23+	TO-263	28011	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	PHB18NQ10T	NXP/恩智浦	20+	TO263	32970	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	PHB18NQ10T	PHILIPS	24+	TO-263	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	PHB18NQ10T	NXP/恩智浦	23+	TO-263	30000	全新原装现货,价格优势	询价

更多PHB18NQ10T供应商更新时间2025-5-1 11:04:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号