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PHB18NQ10T规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
FEATURES
• ’Trench’ technology
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
Applications:-
• d.c. to d.c. converters
• switched mode power supplies
产品属性
- 型号：
PHB18NQ10T
- 功能描述：
MOSFET TRENCH-100
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
1300 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT404 |
7350 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
TO-263 |
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询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
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询价 | ||
恩XP |
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TO263 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO263 |
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询价 | ||
恩XP |
20+ |
TO263 |
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询价 | ||
恩XP |
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TO-263 |
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TO-263 |
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恩XP |
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TO-263 |
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